PENINGKATAN ABSORBSI FOTON PADA FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR BaxSr1-xTiO3 DENGAN MENGGUNAKAN KRISTAL FOTONIK

Abstract

Pada penelitian ini telah dilakukan pembuatan film tipis semikonduktor Ba_xSr_1-xTiO₃(BST) untuk nilai x = 0.25, 0.35, 0.45 dan 0.55 dan konsentrasi 1 molar dengan menggunakan metode chemical solution depositon (CSD). Bahan yang digunakan dalam penelitian adalah bubuk barium asetat [Ba(CH₃COO)₂, 99%], stronsium asetat [Sr(CH₃COO)₂, 99%], titanium isopropoksida [Ti(C₁₂O₄H₂₈), 97.999%], galium tri oksida [Ga₂O₃], 2-metoksietanol [H₃COOCH₂CH₂OH, 99%] dan substratnya adalah kaca transparent conductive oxide (TCO) berukuran 1 x 1 cm. Pembuatan film tipis BST dibuat sebanyak 2 kali yaitu untuk film tipis BST yang didadah dengan galium 10% (BGST) sebagai lapisan tipe-p dan larutan BST murni sebagai tipe-n. Larutan BST untuk tiap nilai x dibuat dengan cara mencampurkan barium asetat [Ba(CH₃COO)₂, 99%], stronsium asetat [Sr(CH₃COO)₂, 99%] dan titanium isopropoksida [Ti(C₁₂O₄H₂₈)] ke dalam pelarut, 2-metoksietanol [H₃COOCH₂CH₂OH, 99%] sesuai dengan gram massa yang telah ditentukan untuk tiap nilai x.